为什么电流裕量会用在较小的MOS管上?产品可靠性提高了吗?【外围投注】

本文摘要:工程师在设计过程中非常注重零件性能的悠闲,但很容易忽略热力学系统设计。假设芯片外壳温度(Tc)为55,热力学系统功率为05瓦时,芯片节点温度由TJ=TCPD*RJC代入155,已达到最低接合温度150。

热力学

工程师在设计产品时使用了9A的MOS管,量产后发现高产后,经过新的计算,用5A的MOS管更换即可解决问题。(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视剧),为什么电流裕量会用在较小的MOS管上?产品可靠性提高了吗?这篇文章将从零件的空缺角度向你讲述产品的可靠性。工程师在设计过程中非常注重零件性能的悠闲,但很容易忽略热力学系统设计。

案例分析为了帮助解释,再次引入了公式。其中Tc是芯片的外壳温度,PD是芯片在该环境下的动力学系统功率,Tj是对芯片的节点温度的响应,现在大部分芯片的节点温度是150,Rjc。

图1电源装置热阻是示意性推荐的例子,常用的S8050在25C(TC)下仅次于动力学系统功率0.625W,额定电流为0.5A,最低节点温度为150C。这个赋值公式可以将Rja估计为200C/W。假设芯片外壳温度(Tc)为55,热力学系统功率为0.5瓦时,芯片节点温度由TJ=TC PD * RJC代入155,已达到最低接合温度150。

因此,减少额必须使用,但减少额曲线没有显示在数据手册中,因此小的篇无法自行计算。25(TC)有一定的官方成立。将线性损耗率分类为F,在给定温度下代入未知参数,得到F > 5 MW/C。

一般来说,为了满足公差拒绝,只有减液系数更大,才能符合可靠性设计拒绝。小型晶体管和芯片不戴散热器,所以要考虑外壳和空气之间的热阻。

温度

一般数据手册不会产生对环境的热阻(Rja)。那么晶体管S8050是继功率0.625瓦后,在外壳25处获得的。如果环境温度正好为25C,芯片本身消耗0.625W的功率,那么为了匹配节点,唯一不超过150C的方法就是获得足够的风扇,如下图右图所示。图2 fet散热器好,我们把问题转向原来的fet,为什么要从9A转向5A的性能更可靠的问题。

场效应管的损失一般同时发生在传导损失和开关损失上,但高频小电流条件下开关损失最大。9A的场效应管在工艺中栅电容小,因此驱动能力必须强。

温度

在驱动能力严重不足的情况下,开关损耗急剧减少。特别是在高温下,热力学系统严重不足,导致节点温度微克过热。

在符合设计裕量的条件下,如果用额定电流稍小的现场管道代替,则两个现场管道在传导内部阻力上差异太大,传导损失在高频条件下可以完全忽略开关损失,因此,5A的现场管驱动一起不容易看到,开关损失降低,当5A现场管在一定温度环境下节点温度减少到高效范围时,自然会再次发生。(大卫亚设,Northern Exposure(美国电视连续剧),Northern Exposure(美国电视),)图3电源装置损失分析图通常大部分芯片的节点温度为150C,只要控制节点温度在这个范围内,保持一定的余量,热力学系统的设计角度就不会有问题。下次芯片的零部件性能指标都找完了,也有一定的空闲,但找不到过热的原因,就可以从热力学系统的角度找到问题。

也许老大会很忙。摘要:电源模块在实际应用中通常面临高温环境,因此,在设计电源时,本文仅提出场效应管的接合温度问题。

热力学

准确的电源产品可靠性需要考虑所有部件的连接温度和可靠性。与模块电源、常规开关电源、电源适配器等成品电源一起使用时,这一部分的工作通常由电源设计者完成。

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